ساخت فلش‌های با سرعت هزار برابر
گروهی از محققان دانشگاه ایالتی آریزونا دریافتند با استفاده از ماده ای با قابلیت تغییرفاز می توان حافظه هایی با سرعت 1000 برابر حافظه های فلش موجود تولید کرد.
به گزارش ایرنا از پایگاه خبری سی نت، حافظه های دارای قابلیت تغییرفاز که با عنوان phase-change memory یا PCM شناخته می شوند در واقع نوعی حافظه RAM هستند که به واسطه تغییر حالت ماده بیت ها بین سه حالت مایع، شیشه و کریستال، امکان ذخیره اطلاعات را فراهم می کنند.
در این تحقیقات آلیاژی از ژرمانیم، آنتیموان و تلوریم به ترتیب با نسبت 1، 2 و 4 به عنوان ماده اصلی سازنده حافظه PCM مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفت.
در این تغییرات مشخص شد می توان حالت بیت های ساخته شده از این ماده را با استفاده از پالس نوری یا گرما از شیشه به کریستال و از کریستال به شیشه تغییر داد. این ماده در حالت غیرمنظم دارای مقاومت الکتریکی بالایی است و این حالت می تواند بیانگر خاموش بودن بیت باشد. اما در حالت کریستالی یا فاز منظم، مقاومت این ماده تا 1000 برابر کاهش می یابد و بیانگر حالت روشن است.
این بیت ها در لایه های دوبعدی و در بین الکترودهای فعال کننده ای قرار می گیرند و می توان این لایه ها را در یک ساختار سه بعدی به گونه ای مرتب کرد که در مجموع یک دستگاه ذخیره اطلاعات با سرعت چندین برابر حافظه های فلش عادی را ایجاد کند.
گزارش کامل این تحقیقات در نشریه Science Advances منتشر شده است.
- ۹۷/۰۹/۱۰