تولید فلشهای سه بعدی سامسونگ در چین
ساخت حافظه سه بعدی با نام 3D V-NAND به طور گسترده‌ای در کشور چین آغاز شده است.
سامسونگ الکترونیک با راه‌اندازی این خط تولید، توانسته در رقابتی که امروزه بر سر فشردن اطلاعات هر چه بیشتر در یک حافظه‌ی فلش وجود دارد، پیشگام باشد.
حافظه‌های سه بعدی دارای 32 لایه هستند و هر تراشه‌ی آن‌ها ظرفیتی معادل 128 گیگا بایت دارد. به گفته‌ی «جونگ هیوک چوی» مدیر بخش تکنولوژی و حافظه‌های فلش کمپانی سامسونگ، این محصول حاصل سال‌ها تلاش متخصصان برای حرکت فراتر از روش‌های متعارف است و نوآوری‌هایی را به منظور غلبه بر محدودیت‌های این عرصه معرفی می‌‌کند.
از ویژگی‌های شاخص این حافظه‌های سه بعدی، قابلیت حفاظت از اطلاعات تا پنج برابر بیشتر در مقایسه با نسل قبلی یعنی حافظه‌های 2 بعدی (2D-NAND) است. همچنین در این نوع فلش، سرعت ثبت اطلاعات و بازیابی آن دو برابر افزایش یافته است. از دیگر ویژگی‌های مهم حافظه‌های سه بعدی ((3D V-NAND می‌توان به بهبود 40 درصدی عملکرد مصرف انرژی و عمر باتری اشاره کرد.
خط تولید حافظه سه بعدی در مجتمع صنعتی با مساحت کل 230 هزار متر مربع در یک زمین 14/1 میلیون مترمربعی در شهر «ژیان» چین که نقطه شروع جاده‌ی ابریشم است، قرار دارد و ساخت آن 20 ماه به طول انجامیده است. حدود 50 درصد فلشهای جهانی ناند در پایگاه‌های تولیدی و توسط تعداد زیادی از کمپانی‌های IT در این مجتمع صنعتی تولید می‌شود.
سامسونگ تصمیم دارد که تا آخر امسال مجتمع صنعتی مذکور را که شامل تکنولوژی مونتاژ و خط آزمایش نیز هست، تکمیل کند.
سفیر کره در مراسمی با حضور مدیر‌کل سامسونگ دکتر او هیون، تعداد زیادی از مقامات بلند پایه‌ی دولتی چین ابراز امیدواری کرده است که این مجتمع صنعتی جدید که حاصل روابط دوستانه با چین است بتواند به عنوان نقطه‌ی عطف فعالیت‌های انجام شده در جاده‌ی ابریشم در قرن 21 تبدیل شود.
- ۹۳/۰۳/۱۲